噻二唑型缓蚀剂对银片的缓蚀性能

采用增重法和金相显微技术,研究了不同浓度的沉降硫-石油醚溶液对银片的腐蚀作用,以及噻二唑型缓蚀剂TSJ-T6在不同浓度、不同温度下的缓蚀效率。 研究表明,TSJ-T6缓蚀剂对银片具有很好的缓蚀性能,且随着缓蚀剂浓度的增加,缓蚀效率也随之提高,当缓蚀剂浓度达到10.0 μg/g时,缓蚀效率达到94.37%。 经过吸附等温线拟合,得到缓蚀剂TSJ-T6在银片表面的缓蚀符合Langmuir吸附等温式,吸附过程为放热反应过程。     

噻二唑衍生物对银的缓蚀性能研究

本文研究了主要成分为5-甲基-2-戊基二硫代-1,3,4-噻二唑的复配型缓蚀剂TSJ-T6,在浓度为5.0×10-5g/g的H2S中对银的缓蚀性能。通过增重实验、接触角分析、电化学极化曲线测试以及分子动力学模拟研究了该缓蚀剂的缓蚀效率及缓蚀机理。增重实验结果证明,缓蚀剂TSJ-T6对银片在H2S中的腐蚀具有良好的缓蚀效果,缓蚀剂浓度为2.5×10-5g/g时,缓蚀效率高达94.51%。接触角分析结果表明,该缓蚀剂分子在银片和腐蚀液的界面形成了一层疏水保护膜。极化曲线结果表明,缓蚀剂TSJ-T6的存在降低了阴、阳极的塔菲尔斜率,为混合型缓蚀剂;同时,该缓蚀剂的存在显著降低了腐蚀电流密度,表明该缓蚀剂对银片在H2S中的腐蚀有良好的缓蚀效果。分子动力学模拟表明,缓蚀剂分子通过噻二唑环和链上的硫、氮原子吸附在银表面,烷基链则以一定角度指向溶液。     

ATO包覆TiO2的导电性能研究

采用化学共沉淀法制备了Sb掺杂SnO_2包覆TiO_2的微纳米导电粉体。考察了不同Sb量对粉体的导电性能影响,通过XRD、SEM对粉体进行了表征。将导电粉体制成复合电极片,利用电化学工作站对其进行循环伏安和交流阻抗分析。结果表明,随着扫描速率的增加,氧化峰和还原峰分别向阴极和阳极移动,而且氧化还原峰的形状没有随着扫描速率的增加发生明显的变化;当m(SnCl_4·5H_2O)/m(SbCl_3)=10∶1时,容抗弧半径最小,且斜率最大,电阻最小,导电性最好。此结果与用电阻率测定仪测得电阻率的结果一致,说明利用交流阻抗法和循环伏安法考察导电粉体的导电性是可行的。